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硅材料硅产品清洗超纯水设备

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硅材料硅产品清洗超纯水设备

详细介绍

硅材料硅产品清洗超纯水设备


 设备参数:

  名称:硅材料硅产品清洗超纯水设备

  型号:JL-gcp001

  进水口径:40(mm)

  产水量:3T/H

  工作压力:290(psi)

  功率:5.5(w)

  电导率:0.055us/cm

  脱盐率:99.9%(%)

  概述:

  微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等,严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等,引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等,会导致各种缺陷。所以单晶硅/多晶硅/硅材料/太阳能电池硅片、半导体器件生产中必须用超纯水,目前制取超纯水工艺可分为反渗透+混床超纯水设备,二是反渗透+EDI超纯水设备,这是两种制取超纯水设备常用的工艺。超纯水主要用于清洗硅片,另有少量用于药液配制,硅片氧化的水汽源,部分设备的冷却水,配制电镀液等。水中的碱金属(K、Na等)会使绝缘膜耐压不良,重金属(Au、Ag、Cu等)会使PN结耐压降低,III族元素(B、Al、Ga等)会使N型半导体特性恶化,V族素(P、As、Sb等)会使P型半导体特性恶化,水中细菌高温碳化后的磷(约占灰分的20%~50%)会使P型硅片上的局部区域变化为N型硅而导致器件性能变坏。水中的颗粒(包括细菌)如吸附在硅片表面,就会引起电路短路或特性变差。

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